蒸鍍0.1mm圖形對(duì)MASK的要求
由于蒸鍍0.1mm圖形，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)精度要求比較高。其關(guān)鍵的MASK（掩膜）的要求也會(huì)相應(yīng)提高。只有MASK的精度保證的前提下，對(duì)蒸鍍0.1mm的圖表的作用才會(huì)被準(zhǔn)確化。
在IC加工過(guò)程中，需要使用中間掩模版和光掩模版。我們定義中間掩模版是為整個(gè)基片曝光而必須分步和重復(fù)的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉(zhuǎn)移到整個(gè)硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。中間掩模版有兩種應(yīng)用：1）把圖形復(fù)印到工作掩模版上。2）在分步重復(fù)對(duì)準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。
在VLSI中，電子束曝光10X或5X的掩模版，或直接用電子束產(chǎn)生1X 的工作掩
模版
玻璃的質(zhì)量和準(zhǔn)備:
用以制作掩模版的玻璃必須內(nèi)部和兩表面都物缺陷。必須于光刻膠的曝光波長(zhǎng)下有高的光學(xué)透射率。被用來(lái)制作掩模版的玻璃有好幾種，包括：a）鈉鈣玻璃b）硼硅玻璃c）石英玻璃。綠色的鈉鈣玻璃和低鈉白鈉鈣玻璃（貴50％）容易被拉制成大面積的薄張，而且表現(xiàn)出很好的質(zhì)量，它們熱膨脹系數(shù)高（93×10－ 7cm/cm°c），使得它門(mén)大大不適合在投影中應(yīng)用。在應(yīng)用中要求低的熱膨脹系數(shù)的材料，就選擇硼硅玻璃和石英玻璃（熱膨脹系數(shù)分別是37和5×10－ 7cm/cm°c）。在一些情況下，周?chē)鷾囟鹊淖兓瘜?dǎo)致硅片上圖形的定位錯(cuò)誤，此時(shí)就要求選擇硼硅玻璃和石英玻璃。石英圓片是超低膨脹系數(shù)的玻璃，它的熱膨脹系數(shù)非常小。石英玻璃同樣在深UV和近深UV區(qū)域內(nèi)有很高的穿透系數(shù)。石英相當(dāng)貴，現(xiàn)在傾向于發(fā)展高質(zhì)量的合成石英材料。天然石英通過(guò)火焰熔融法加工，用氧氫氣溶化巖石晶體。合成石英是用超純SiCl4，它提供寬的光投射鋁區(qū)域，低的雜質(zhì)含量和少的物理缺陷。它的應(yīng)用隨著低膨脹率和深UV的要求變得逐漸廣泛。圓片被拋光、清洗，在形成掩模圖像之前被檢查。拋光是個(gè)多重步驟，在圖片兩個(gè)表面連續(xù)不斷地分級(jí)研磨。圖片在檢測(cè)和掩模之前被清洗、沖洗、干燥。
玻璃的表面覆蓋（鉻）
下一步是在玻璃圓片上覆蓋一層材料最終形成圖形。這些材料包括乳劑、鉻和氧化鐵。乳膠不在VLSI中應(yīng)用，因?yàn)椴蝗菀卓刂凭€條寬，而且它經(jīng)不住使用和清洗。鉻是最廣泛應(yīng)用的材料，它以濺射或蒸發(fā)的方式淀積到圓片上。盡管濺射鉻比蒸發(fā)鉻的反射性強(qiáng)（不希望有的特性），但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)?？狗瓷淠ぐ粚颖〉模?00A）的Cr2O3，它降低了反射率。
掩膜版成像（光刻膠的應(yīng)用和工藝）
光刻膠的由于和它的后道工序用來(lái)產(chǎn)生圖像（用光學(xué)或用電子束），和在硅片上制作圖形相似，但這里應(yīng)用的光刻膠膜更薄，而且曝光裝置的型號(hào)不同。
在制膜之前，先清洗和干燥空片，然后旋轉(zhuǎn)覆蓋上過(guò)濾過(guò)的光刻膠。在光掩膜版的制作中，應(yīng)用的光學(xué)光刻膠是AZ1370或Kodak820，或用電子束光刻膠PMMA和COP。較厚的膜導(dǎo)致線條尺寸控制和抗針孔能力的增進(jìn)；但薄光刻膜（0.2～0.3μm）的分辨率更好。
因?yàn)楣饪棠z涂得很薄，所以只需快速前烘。曝光必須嚴(yán)格控制，因?yàn)楦叻瓷渎实你t膜導(dǎo)致駐波。光刻膠經(jīng)過(guò)光學(xué)的或電子束方式曝光。光刻膠經(jīng)過(guò)發(fā)展，典型的是應(yīng)用噴射技術(shù)。嚴(yán)格的控制顯影劑濃度和溫度以保證線條尺寸的控制是很關(guān)鍵的。這個(gè)步驟之后，對(duì)關(guān)鍵尺寸和分辨率進(jìn)行測(cè)量確保它們能符合規(guī)格，并且用掩膜版或用Nicon2I檢查產(chǎn)生的錯(cuò)誤。在刻蝕之前對(duì)光刻膠進(jìn)行后烘。
把圖形轉(zhuǎn)移到鉻膜上大部分用濕法刻蝕完成，因?yàn)闈穹涛g對(duì)于薄的鉻膜很有效。
產(chǎn)生圖形
中間掩模版圖形的產(chǎn)生
在過(guò)去的十年，光學(xué)掩模版圖形的制作（PG）領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)步。圖形可以方便地制作，用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因?yàn)镮C設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的圖形通常是多邊型的，它們必須被分解成矩形，稱(chēng)作“分割”數(shù)據(jù)。關(guān)系圖形產(chǎn)生器（OPG）的關(guān)鍵部件是光孔（或快門(mén)），和一個(gè)可移動(dòng)的臺(tái)階。快門(mén)被安裝在可移動(dòng)的頭上，它可以被旋轉(zhuǎn)以獲得需要的θ值，快門(mén)尺寸能夠控制產(chǎn)生特定H、W的矩形來(lái)制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個(gè)鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X－Y臺(tái)面精確地定位圓片。由臺(tái)面設(shè)置光孔所定義的矩形的中心坐標(biāo)X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm，導(dǎo)致掩模板上尺寸的±0.75μm的不確定性（縮小10倍后）。這是關(guān)鍵尺寸的控制。如果生產(chǎn)10×的掩模板，在硅片上產(chǎn)生±0.075的誤差。除孔的尺寸產(chǎn)生的錯(cuò)誤外，還有掩模板和硅片加工時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。由于臺(tái)階受激光控制，所以X，Y的定位錯(cuò)誤非常小。當(dāng)仍然會(huì)導(dǎo)致定位錯(cuò)誤。這樣的錯(cuò)誤導(dǎo)致成品率的下降
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